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RFP30P06 +BOM

P-Channel MOSFET Transistor, TO-220AB Package

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

RFP30P06
Scheda dati:

RFP30P06 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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RFP30P06 Descrizione generale

P-Channel 60 V 30A (Tc) Through Hole TO-220-3

Caratteristiche principali

30A, 60V
rDS(ON) = 0.065Ω
Temperature Compensating PSPICE® Model
Peak Current vs Pulse Width Curve
UIS Rating Curve
175oC Operating Temperature
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	30 A	Rds On - Drain-Source Resistance	65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	135 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	18 ns	Height	16.3 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	23 ns	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	28 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns	Width	4.7 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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