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RFK25P08 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 80V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

Produttore:

RCA/HARRIS
ProduttorePart #:

RFK25P08
Scheda dati:

RFK25P08 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

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RFK25P08 Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 80V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

Caratteristiche principali

-25A, -100V and -80V
rDS(ON) = 0.150Ω
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.95
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	80 V	Drain Current-Max (ID)	25 A
Drain-source On Resistance-Max	0.15 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	600 pF	JEDEC-95 Code	TO-204AE
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation Ambient-Max	150 W
Power Dissipation-Max (Abs)	150 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	60 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	650 ns
Turn-on Time-Max (ton)	300 ns

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