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RCJ081N20TL +BOM

MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RCJ081N20TL
Scheda dati:

RCJ081N20TL Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel

RCJ081N20TL Descrizione generale

N-Channel 200 V 8A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Id - Continuous Drain Current	8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	550 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.25 V
Qg - Gate Charge	8.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	40 W
Channel Mode	Enhancement	Series	RCJ081N20
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	20 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	18 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Part # Aliases	RCJ081N20
Unit Weight	0.139332 oz

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