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RF JFET Transistors 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
Produttore:
ProduttorePart #:
QPD2793
Scheda dati:
Transistor Type:
HEMT
Technology:
GaN SiC
Operating Frequency:
2.62 GHz to 2.69 GHz
Gain:
19 dB
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Avaq Semiconductor offre il driver QPD2793 altamente versatile e affidabile, prodotto da Qorvo. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.
Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il QPD2793.
Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.
Product Category | RF JFET Transistors | Transistor Type | HEMT |
Technology | GaN SiC | Operating Frequency | 2.62 GHz to 2.69 GHz |
Gain | 19 dB | Transistor Polarity | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - |
Id - Continuous Drain Current | - | Output Power | 200 W |
Maximum Drain Gate Voltage | - | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Pd - Power Dissipation | - | Mounting Style | SMD/SMT |
Application | Microcell Base Station, W-CDMA / LTE | Configuration | Single |
Forward Transconductance - Min | - | Product Type | RF JFET Transistors |
Series | QPD2793 | Factory Pack Quantity | 25 |
Subcategory | Transistors | Part # Aliases | 1130771 |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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