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QPD1425L +BOM
RF MOSFET Transistors 1.2-1.4 GHz discrete
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Produttore:
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ProduttorePart #:
QPD1425L
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Scheda dati:
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Transistor Polarity:
P-Channel
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Technology:
GaN SiC
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Id - Continuous Drain Current:
19 A
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Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
65 V
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Disponibilità: 9322 PZ
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Avaq Semiconductor offre il driver QPD1425L altamente versatile e affidabile, prodotto da Qorvo. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.
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Specifiche
Product Category | RF MOSFET Transistors | Transistor Polarity | P-Channel |
Technology | GaN SiC | Id - Continuous Drain Current | 19 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V | Operating Frequency | 2 GHz |
Gain | 20.6 dB | Output Power | 56.3 dBm |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
Mounting Style | Flange Mount | Moisture Sensitive | Yes |
Product Type | RF MOSFET Transistors | Subcategory | MOSFETs |
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