Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

FP1189-G +BOM

RF JFET Transistors capable of delivering +27dBm at P1dB

Produttore:

qorvo
ProduttorePart #:

FP1189-G
Scheda dati:

FP1189-G Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

HFET
Technology:

GaAs
Transistor Polarity:

N-Channel
Minimum Operating Temperature:

- 55 C
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per FP1189-G

Caratteristiche principali

504000 MHz

+27 dBm P1dB

+40 dBm Output IP3

High Drain Efficiency

20.5 dB Gain @ 900 MHz

Lead-free/Green/RoHS compliantSOT-89 Package

MTTF >100 Years

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	HFET
Technology	GaAs	Transistor Polarity	N-Channel
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 160 C
Mounting Style	SMD/SMT	Height	1.5 mm
Length	4.5 mm	Moisture Sensitive	Yes
Product	RF JFET	Product Type	RF JFET Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Type	GaAs HFET	Width	2.5 mm
Part # Aliases	1066922	Unit Weight	0.004603 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..