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QPD1011SR +BOM

RF JFET Transistors .03-1.2GHz 7W 50V GaN

Produttore:

Qorvo
ProduttorePart #:

QPD1011SR
Scheda dati:

QPD1011SR Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

HEMT
Technology:

GaN SiC
Operating Frequency:

30 MHz to 1.2 GHz
Gain:

21 dB
EDA/CAD Modelli:

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Avaq Semiconductor offre il driver QPD1011SR altamente versatile e affidabile, prodotto da Qorvo. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

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Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	HEMT
Technology	GaN SiC	Operating Frequency	30 MHz to 1.2 GHz
Gain	21 dB	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	50 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	145 V
Id - Continuous Drain Current	1.46 A	Output Power	8.7 W
Maximum Drain Gate Voltage	55 V	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Pd - Power Dissipation	13 W
Mounting Style	SMD/SMT	Development Kit	QPD1011EVB01
Forward Transconductance - Min	-	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	RF JFET Transistors	Series	QPD1011
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Part # Aliases	QPD1011

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..