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PZTA42,115 +BOM

NPN high-voltage transistor in a SOT223 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PZTA92

PZTA42,115 Descrizione generale

NPN high-voltage transistor in a SOT223 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PZTA92

Caratteristiche principali

  • Durable construction with metal casing
  • Intelligent power management system
  • Fast charging technology enabled
  • Ergonomic design for comfortable grip

Applicazione

  • Professional networking solutions
  • Telecom equipment providers

Specifiche

Source Content uid PZTA42,115 Part Life Cycle Code Active
Pin Count 4 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.29.00.75
Date Of Intro 1997-09-01 Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.5 A Collector-Base Capacitance-Max 3 pF
Collector-Emitter Voltage-Max 300 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 40 JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -65 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 1.5 W Qualification Status Not Qualified
Reference Standard AEC-Q101 Surface Mount YES
Terminal Finish TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application AMPLIFIER Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 50 MHz VCEsat-Max 0.5 V
Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V
Power - Max 1.2 W Frequency - Transition 50MHz
Operating Temperature 150°C (TJ) Grade Automotive
Qualification AEC-Q101 Mounting Type Surface Mount
Base Product Number PZTA42

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