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PMZB350UPE +BOM

Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN-B

PMZB350UPE Descrizione generale

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Caratteristiche principali

  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • 1.8 kV ESD protected

Specifiche

Source Content uid PMZB350UPE Part Life Cycle Code Transferred
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Terminal Finish TIN

Politiche di servizio e altro

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