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N-type enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a voltage rating of 30V and a current capacity of 9A
DFN-2020MD-6Produttore:
ProduttorePart #:
PMPB11EN
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
compliant
ECCN Code:
EAR99
Case Connection:
DRAIN
EDA/CAD Modelli:
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N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Source Content uid | PMPB11EN | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 9 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0145 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | S-PDSO-N6 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 34 A | Reference Standard | IEC-60134 |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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