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PHPT61006PYX +BOM

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61006NY

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

PHPT61006PYX
Scheda dati:

PHPT61006PYX Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

100 V

PHPT61006PYX Descrizione generale

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61006NY

Caratteristiche principali

High thermal power dissipation capability
High temperature applications up to 175 °C
Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified.

Applicazione

Power management
Load switch
Linear mode voltage regulator
Backlighting applications
Motor drive
Relay replacement

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	8 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	900 mV
Maximum DC Collector Current	6 A	Pd - Power Dissipation	25 W
Gain Bandwidth Product fT	116 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Qualification	AEC-Q101
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1500
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	934068575115	Unit Weight	0.003150 oz

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..