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PHPT60406NYX +BOM

NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60406PY

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

PHPT60406NYX
Scheda dati:

PHPT60406NYX Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V

PHPT60406NYX Descrizione generale

NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60406PY

Caratteristiche principali

High thermal power dissipation capability
High temperature applications up to 175 °C
Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified.

Applicazione

Power management
Load switch
Linear mode voltage regulator
Backlighting applications
Relay replacement
Motor drive

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	240 mV
Maximum DC Collector Current	6 A	Pd - Power Dissipation	25 W
Gain Bandwidth Product fT	153 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Qualification	AEC-Q101
Continuous Collector Current	6 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	60 at 6 A, 2 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1500
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	934068569115	Unit Weight	0.003136 oz

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