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PHPT61002PYCLHX +BOM

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61002NYCLH.

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

PHPT61002PYCLHX
Scheda dati:

PHPT61002PYCLHX Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

100 V

PHPT61002PYCLHX Descrizione generale

PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61002NYCLH.

Caratteristiche principali

Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain hFE at high IC
Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
High efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified

Applicazione

Load switch
Battery-driven devices
Power management
Charging circuits
Power switches (e.g. motors, fans)

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	100 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	8 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	2 A	Pd - Power Dissipation	25 W
Gain Bandwidth Product fT	125 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	PHPT61002
Continuous Collector Current	- 2 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	70
DC Current Gain hFE Max	260	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1500	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	934071079115
Unit Weight	0.002346 oz

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