Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

PE507BA +BOM

P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET

Produttore:

NIKO SEMICONDUCTOR CO LTD
ProduttorePart #:

PE507BA
Scheda dati:

PE507BA Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Contact Manufacturer
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

87 mJ
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per PE507BA

Caratteristiche principali

High safety, Self-healing and Self-protecting function built-in
Long product life, High reliability
Low loss, Low ESR
Flame retardant (Case and sealing resin)
RoHS directive compliant

Specifiche

Part Life Cycle Code	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	87 mJ
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	10 A	Drain-source On Resistance-Max	0.014 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	S-PDSO-F8
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	50 A	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..