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PDM755HA +BOM

Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 500V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-7

Produttore:

NIEC
ProduttorePart #:

PDM755HA
Scheda dati:

PDM755HA Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
Configuration:

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

PDM755HA Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 500V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-7

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DS Breakdown Voltage-Min	500 V
Drain Current-Max (ID)	53 A	Drain-source On Resistance-Max	0.065 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-XUFM-X7
Number of Elements	2	Number of Terminals	7
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	150 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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