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NTHD4102PT1G +BOM

Dual P-Channel MOSFET Array - NTHD4102PT1G features a dual P-channel MOSFET array suitable for various electronic applications

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

NTHD4102PT1G
Scheda dati:

NTHD4102PT1G Scheda dati (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

1206A-03
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260

NTHD4102PT1G Descrizione generale

The NTHD4102PT1G is a MOSFET transistor with dual P channel polarity, offering a continuous drain current Id of -2.9A and a drain source voltage Vds of -20V. With an on resistance Rds(on) of 0.064ohm and a test voltage Vgs of -4.5V, this MOSFET boasts a threshold voltage Vgs of -1.5V and a power dissipation Pd of 1.1W. Housed in a ChipFET case style and featuring 8 pins, this product is designed to operate at a maximum temperature of 150°C, making it suitable for a wide range of applications

Caratteristiche principali

Advanced Logic and Gate Array Technology
Enhanced Flexibility for Future Design Updates
Simplified PCB Layout for Reduced Manufacturing Costs

Applicazione

Ideal for Handheld Electronics
Regulates Charging Current
Maximizes Battery Life

Specifiche

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	1206A-03	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	Y
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Dual
V(BR)DSS Min (V)	-20	VGS Max (V)	8
VGS(th) Max (V)	1.5	ID Max (A)	2.9
PD Max (W)	1.1	RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)	Q1=Q2=84
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	Q1=Q2=64	Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	2.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	7.6	Ciss Typ (pF)	750
Pricing ($/Unit)	$0.3864Sample

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