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NTHD3102CT1G +BOM

Mosfet Array 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

NTHD3102CT1G
Scheda dati:

NTHD3102CT1G Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Pin Count:

8
Reach Compliance Code:

compliant

NTHD3102CT1G Descrizione generale

The NTHD3102CT1G from ON Semiconductor is a reliable and efficient dual N-channel power MOSFET that brings a range of benefits to various low voltage applications. Its low gate-source threshold voltage provides smooth and effective switching performance even at lower control voltages, ensuring optimal functionality in battery protection circuits and power management systems

Caratteristiche principali

The NTHD3-102CT1G is suitable for high-frequency applications
Its low on-resistance enables efficient energy transfer
Fast switching speed ensures reliable operation in various conditions
Able to handle voltage spikes up to 20V with ease

Applicazione

Battery protection
Load switching
Voltage regulation

Specifiche

Source Content uid	NTHD3102CT1G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Pin Count	8
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	16 Weeks	Application	SWITCHING
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-XDSO-C8	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	C BEND
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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