Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

NJVNJD35N04T4G +BOM

4.0 A, 350 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NJVNJD35N04T4G
Scheda dati:

NJVNJD35N04T4G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

369C
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per NJVNJD35N04T4G

NJVNJD35N04T4G Descrizione generale

The NJVNJD35N04T4G stands out as a top-of-the-line Darlington transistor, specially designed for inductive applications like Electronic Ignition, Switching Regulators, and Motor Control. Whether you need to drive ignition systems or regulate switching operations, this transistor is engineered for superior performance and seamless functionality in diverse industrial settings

Caratteristiche principali

Advanced Driver Assistance
Silicon Carbide Devices
Data Transfer Acceleration
High-Speed Processing Unit
Multi-Gigahertz Frequency
High-Efficiency Power Management

Applicazione

Power Inverters
EMI Filters
Thermal Management

Specifiche

Status	Active	Case Outline	369C
MSL Temp (°C)	260	Container Type	TUBE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..