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NJVMJD31CT4G +BOM

3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

NJVMJD31CT4G
Scheda dati:

NJVMJD31CT4G Scheda dati (PDF)
Case Outline:

369C
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelli:

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NJVMJD31CT4G Descrizione generale

With the NJVMJD31CT4G, you can trust that your electronic projects will run smoothly and efficiently. Whether you're building a simple amplifier or a more complex switching circuit, this transistor delivers consistent results every time. Invest in the NJVMJD31CT4G for quality performance that you can rely on

Caratteristiche principali

Robust Construction for Shock and Vibration Resistance
Fast Switching Speeds for High Efficiency
Precise Current Limiting for Safety

Specifiche

Status	Active	Case Outline	369C
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..