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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
NGTB40N120FL2WG
Scheda dati:
IGBT Type:
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm):
200 A
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This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor UPS and solar applications. Incorporated into the device is a softand fast co?packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | - |
IGBT Type | Trench Field Stop | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A | Power - Max | 535 W |
Switching Energy | 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 313 nC | Td (on/off) @ 25°C | 116ns/286ns |
Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V | Reverse Recovery Time (trr) | 240 ns |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | NGTB40 |
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Prodotto 365 giorni
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $5,567 | $5,57 |
10+ | $4,927 | $49,27 |
30+ | $4,469 | $134,07 |
100+ | $4,143 | $414,30 |
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