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NGTB40N120FL2WG +BOM

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

NGTB40N120FL2WG Descrizione generale

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor UPS and solar applications. Incorporated into the device is a softand fast co?packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Caratteristiche principali

  • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
  • TJmax = 175°C
  • Soft Fast Reverse Recovery Diode
  • Optimized for High Speed Switching
  • 10 μs Short Circuit Capability

Applicazione

  • Solar Inverter
  • Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
  • Welding

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs Series -
IGBT Type Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Power - Max 535 W
Switching Energy 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 313 nC Td (on/off) @ 25°C 116ns/286ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Base Product Number NGTB40

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J
J**b 12/10/2020

Chip new without packaging company st.

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