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NESG2030M04-T2-A +BOM

RF Transistor NPN 2.3V 35mA 60GHz 80mW Surface Mount M04

  • Produttore:

    CEL

  • ProduttorePart #:

    NESG2030M04-T2-A

  • Scheda dati:

    NESG2030M04-T2-A Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Transistor Type:

    NPN

  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

    2.3V

  • Frequency - Transition:

    60GHz

  • Noise Figure (dB Typ @ F):

    0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

NESG2030M04-T2-A Descrizione generale

RF Transistor NPN 2.3V 35mA 60GHz 80mW Surface Mount M04

Specifiche

Series - Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 2.3V Frequency - Transition 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz Gain 16dB
Power - Max 80mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA Mounting Type Surface Mount
Base Product Number NESG2030

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