Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

MRFG35010 +BOM

Advanced S-band RF amplifier module for high-frequency electronics applications

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

MRFG35010
Scheda dati:

MRFG35010 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

pHEMT
Technology:

GaAs
Operating Frequency:

3.55 GHz
Gain:

10 dB

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

MRFG35010 Descrizione generale

RF Mosfet 12 V 130 mA 3.55GHz 10dB 9W NI-360HF

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	pHEMT
Technology	GaAs	Operating Frequency	3.55 GHz
Gain	10 dB	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 5 V	Id - Continuous Drain Current	2.9 A
Output Power	10 W	Minimum Operating Temperature	- 20 C
Maximum Operating Temperature	+ 90 C	Pd - Power Dissipation	28.3 W
Mounting Style	Screw Mount	Configuration	Single
Height	4.47 mm	Length	20.45 mm
P1dB - Compression Point	10 W	Product	RF JFET
Product Type	RF JFET Transistors	Subcategory	Transistors
Type	GaAs pHEMT	Width	5.97 mm
Unit Weight	0.032480 oz	Frequency	3.55GHz
Voltage - Test	12 V	Current - Test	130 mA
Power - Output	9W	Voltage - Rated	15 V
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	MRFG35

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..