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MRF6S9125N +BOM

Transistor for High-Frequency Applications

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

MRF6S9125N
Scheda dati:

MRF6S9125N Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

68 V
Minimum Operating Temperature:

- 65 C
EDA/CAD Modelli:

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Avaq Semiconductor offre il driver MRF6S9125N altamente versatile e affidabile, prodotto da NXP. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il MRF6S9125N.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	68 V
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single Dual Drain Dual Gate	Height	2.64 mm
Length	17.58 mm	Product Type	RF MOSFET Transistors
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	- 500 mV, 12 V	Width	9.07 mm
Unit Weight	0.057671 oz

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..