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MRF6VP121KHR6 +BOM

RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230

Produttore:

NXP
ProduttorePart #:

MRF6VP121KHR6
Scheda dati:

MRF6VP121KHR6 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

110 V
Operating Frequency:

0.965 GHz to 1.215 GHz

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

MRF6VP121KHR6 Descrizione generale

RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230

Caratteristiche principali

Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
CW Operation Capability with Adequate Cooling
Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
Integrated ESD Protection
Designed for Push--Pull Operation
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel. R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13 Inch Reel.

Specifiche

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	110 V
Operating Frequency	0.965 GHz to 1.215 GHz	Gain	20 dB
Output Power	100 W	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Configuration	Dual
Product Type	RF MOSFET Transistors	Series	MRF6VP11KH
Factory Pack Quantity	150	Subcategory	MOSFETs
Type	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage	10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.4 V	Unit Weight	0.464696 oz

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