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MPQ6502 +BOM

Junction Bipolar Transistors

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

MPQ6502
Scheda dati:

MPQ6502 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
Collector- Base Voltage VCBO:

60 V
EDA/CAD Modelli:

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MPQ6502 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116

Caratteristiche principali

Advanced power management features for extended battery life
High-speed data transfer capabilities for efficient processing
Sufficient memory capacity for complex algorithms
Easy configuration using intuitive software tools

Applicazione

Power supplies
Motor control
Lighting control
Automotive electronics
Portable devices
Industrial automation
Consumer electronics
Medical equipment
Telecommunications
Renewable energy systems

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	NPN, PNP
Configuration	Quad	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V
Collector- Base Voltage VCBO	60 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	2 W
Gain Bandwidth Product fT	200 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	25 at 1 mA, 10 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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