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MPQ6002 +BOM

BJT transistors

Produttore:

Central Semiconductor Corp
ProduttorePart #:

MPQ6002
Scheda dati:

MPQ6002 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

2 NPN, 2 PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.4V @ 30mA, 300mA
EDA/CAD Modelli:

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MPQ6002 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 30V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116

Specifiche

Transistor Type	2 NPN, 2 PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.4V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max)	30nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 300mA, 10V
Power - Max	650mW	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	MPQ6002

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