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MPQ3906 +BOM

Transistor GP BJT PNP

Produttore:

Central Semiconductor Corp
ProduttorePart #:

MPQ3906
Scheda dati:

MPQ3906 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

4 PNP (Quad)
Current - Collector (Ic) (Max):

200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

250mV @ 1mA, 10mA
EDA/CAD Modelli:

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MPQ3906 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 200mA 200MHz 500mW Through Hole TO-116

Specifiche

Transistor Type	4 PNP (Quad)	Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	75 @ 10mA, 1V
Power - Max	500mW	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	MPQ3906

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