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MPQ3725 +BOM

MPQ3725 BJT Bipolar Transistors

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

MPQ3725
Scheda dati:

MPQ3725 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
Collector- Base Voltage VCBO:

60 V
EDA/CAD Modelli:

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MPQ3725 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 1A 250MHz 1W Through Hole TO-116

Caratteristiche principali

Dual output with separate current limiting
Low inrush current and high efficiency
Wide input range from 9V to 28V

Applicazione

Server power supplies
Telecommunications systems
Consumer electronics

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Quad	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector- Base Voltage VCBO	60 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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