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MPQ2222 +BOM

Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor

Produttore:

Central Semiconductor Corp
ProduttorePart #:

MPQ2222
Scheda dati:

MPQ2222 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

4 NPN (Quad)
Current - Collector (Ic) (Max):

500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.6V @ 30mA, 300mA
EDA/CAD Modelli:

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MPQ2222 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116

Caratteristiche principali

High power and high frequency device
Low noise and high efficiency
Ruggedized package for harsh environments

Suitable for RF amplifiers
High voltage and current rating
Fully compliant with ISO standards

Applicazione

Feedback control circuits
Proximity sensor circuits
Boost converter circuits

Specifiche

Transistor Type	4 NPN (Quad)	Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	650mW	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	MPQ2222

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