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Vedi Specifiche Tecniche

MRF421 +BOM

RF Bipolar Transistors Transistor,<30MHz,12.5V100W

Produttore:

MACOM Technology Solutions
ProduttorePart #:

MRF421
Scheda dati:

MRF421 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

20V
Gain:

12dB
Power - Max:

100W
EDA/CAD Modelli:

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MRF421 Descrizione generale

RF Transistor NPN 20V 20A 100W Chassis Mount 211-11, Style 2

Caratteristiche principali

Specified 12.5 V, 30 MHz characteristics: Output Power= 100 W (PEP), Minimum Gain = 10 dB, Efficiency = 40%
Intermodulation Distortion @ 100 W (PEP) — IMD = –30 dB (min.)
100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angelswith 30:1 VSWR
Aerospace and Defense
ISM

Applicazione

Min Frequency: 2 MHz
Max Frequency: 30 MHz
Pout: 100 W
Gain: 10 dB
Efficiency: 40 %
Bias Voltage: 12.5 V

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Frequency - Transition	-	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Gain	12dB	Power - Max	100W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 5A, 5V	Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Operating Temperature	-	Mounting Type	Chassis Mount
Product Category	RF Bipolar Transistors	Technology	Si
Transistor Polarity	NPN	Operating Frequency	30 MHz
DC Collector/Base Gain hfe Min	10	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V
Emitter- Base Voltage VEBO	3 VDC	Continuous Collector Current	20 A
Configuration	Single	Mounting Style	Screw Mount
Output Power	100 W	Pd - Power Dissipation	290 W
Product Type	RF Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	20
Subcategory	Transistors	Unit Weight	1.784333 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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Prodotto 365 giorni

Qualità garantita

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Valutazioni e recensioni

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v**n 04/04/2024

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K**a 01/16/2024

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