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JANTXV2N6796 +BOM

25W Power Amplifier

Produttore:

Microsemi Corporation
ProduttorePart #:

JANTXV2N6796
Scheda dati:

JANTXV2N6796 Scheda dati (PDF)
Series:

Military, MIL-PRF-19500/557
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

JANTXV2N6796 Descrizione generale

100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A JANTXV2N6796 with Hermetic PackagingBenefits

Caratteristiche principali

JEDEC registered 2N6796, 2N6798, 2N6800 and 2N6802 number series.
JAN, JANTX, and JANTXV qualifications are available per MIL-PRF-19500/557.
JANS qualification is available on 2N6798 only.
(See part nomenclature for all available options.)
RoHS compliant versions available (commercial grade only).

Specifiche

Series	Military, MIL-PRF-19500/557	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 8A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28.51 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Power Dissipation (Max)	800mW (Ta), 25W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

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