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JANTXV2N4957 +BOM

RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72

JANTXV2N4957 Descrizione generale

RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72

Microchip Technology, Inc inventario
Microchip Technology, Inc Stock originale

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors Series -
Transistor Type PNP Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Frequency - Transition - Noise Figure (dB Typ @ f) 3.5dB @ 450MHz
Gain 25dB Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ) Mounting Type Through Hole
feature-type PNP feature-material Si
feature-configuration Single feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-collector-base-voltage-v 30 feature-maximum-collector-emitter-voltage-v 30
feature-maximum-emitter-base-voltage-v 3 feature-maximum-base-emitter-saturation-voltage-v
feature-maximum-dc-collector-current-a 0.03 feature-operational-bias-conditions 10V/2mA
feature-minimum-dc-current-gain [email protected]@10V|20@2mA@10V|30@5mA@10V feature-minimum-dc-current-gain-range 2 to 30|30 to 50
feature-maximum-junction-ambient-thermal-resistance feature-maximum-junction-case-thermal-resistance
feature-typical-input-capacitance-pf feature-maximum-collector-emitter-saturation-voltage-v
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 200
feature-output-power-w feature-typical-power-gain-db 25
feature-maximum-transition-frequency-mhz feature-maximum-noise-figure-db 3.5
feature-packaging feature-rad-hard
feature-pin-count feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-escc-qualified
feature-military feature-aec-qualified No
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc-exceeds-threshold No

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