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JANSR2N7476T1 +BOM

Reliable and robust metal-oxide semiconductor FE

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

JANSR2N7476T1
Scheda dati:

JANSR2N7476T1 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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JANSR2N7476T1 Descrizione generale

- The JANSR2N7476T1 Power Field-Effect Transistor is designed for high-performance applications requiring a maximum current rating of 45A and a voltage rating of 200V

Specifiche

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	256 mJ	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	45 A	Drain-source On Resistance-Max	0.044 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-254AA
JESD-30 Code	S-PSFM-T3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	200 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	180 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
ID max	45.0 A	VF max	1.2 V
Polarity	N	Die Size	6
VBRDSS min	200.0 V	QPL Part Number	2N7476T1
TID max	100.0 Krad(Si)	ESD Class	Class 3B
SEE	Yes	RDS (on) max	44.0 mΩ
Generation	R5	Optional TID Rating	100
Qualification	DLA	Language	SPICE
Product Category	Rad hard MOSFETs	Download Model	https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHMS57260SE-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f380ab10f6

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