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JANTX2N6788 +BOM

6A I(D), 100V, 0.35ohm

Produttore:

Microsemi Corporation
ProduttorePart #:

JANTX2N6788
Scheda dati:

JANTX2N6788 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

6A (Tc)

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

JANTX2N6788 Descrizione generale

N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39

Caratteristiche principali

Repetitive Avalanche Ratings
Dynamic dv/dt Rating
Hermetically Sealed
Simple Drive Requirements
ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750, Method 1020

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Power Dissipation (Max)	800mW (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Grade	Military
Qualification	MIL-PRF-19500/555	Mounting Type	Through Hole

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