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JANSR2N7389U +BOM

High-voltage P-channel transistor designed for a maximum of 100V and capable of carrying currents up to 6.5A, packaged in an 18-pin LLCC

JANSR2N7389U Descrizione generale

Rad hard, -100V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC, 100 krad(Si) TID, QPLFeaturesPotential Applications

Specifiche

FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 12 V
Vgs (Max) ±20V Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C Grade Military
Qualification MIL-PRF-19500/630 Mounting Type Surface Mount

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