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IXYQ40N65B3D1 +BOM
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
TO-3P-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IXYQ40N65B3D1
-
Scheda dati:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Configuration:
Single
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 5441 PZ
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IXYQ40N65B3D1 Descrizione generale
IGBT PT 650 V 86 A 300 W Through Hole TO-3P
Specifiche
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 86 A |
Pd - Power Dissipation | 300 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Continuous Collector Current Ic Max | 195 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
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In Stock: 5.441
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $20,112 | $20,11 |
200+ | $7,783 | $1.556,60 |
500+ | $7,510 | $3.755,00 |
1000+ | $7,376 | $7.376,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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