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High-Performance Power Electronics for Industrial Application
SMPD-9Produttore:
ProduttorePart #:
IXA20PG1200DHGLB-TRR
Scheda dati:
Product:
IGBT Silicon Modules
Configuration:
Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8 V
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IGBT Array PT Half Bridge 1200 V 32 A 130 W Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
Product Category | IGBT Modules | Product | IGBT Silicon Modules |
Configuration | Dual | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V | Continuous Collector Current at 25 C | 32 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 500 nA | Pd - Power Dissipation | 130 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | Mounting Style | SMD/SMT |
Product Type | IGBT Modules | Series | IXA20PG1200DHGLB |
Factory Pack Quantity | 200 | Subcategory | IGBTs |
Technology | Si | Tradename | XPT |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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