Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IXBH10N300HV +BOM

IGBT 3000 V 34 A 180 W Through Hole TO-247HV (IXBH)

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXBH10N300HV
Scheda dati:

IXBH10N300HV Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

3 kV
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IXBH10N300HV

IXBH10N300HV Descrizione generale

The IXBH10N300HV is a game-changing BiMOSFET product that combines the strengths of MOSFETs and IGBTs. Utilizing non-epitaxial construction and state-of-the-art fabrication processes, these high voltage devices have quickly become a success in the industry. They are well-suited for parallel operation, with both the saturation voltage and the forward voltage drop of the intrinsic diode exhibiting a positive voltage temperature coefficient. Additionally, the built-in body diode acts as a protection diode, offering an alternative path for the inductive load current during device turn-off to prevent damage from high Ldi/dt voltage transients. The IXBH10N300HV is an ideal choice for a wide range of applications, thanks to its innovative design and superior performance

Caratteristiche principali

Real-time monitoring capabilities
Advanced alarm management
Simplified troubleshooting process
Increased system flexibility

Applicazione

Power systems
Electronic devices
Voltage regulators

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	3 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	34 A
Pd - Power Dissipation	180 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current Ic Max	88 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs
Unit Weight	0.211644 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..