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IXYK100N120C3 +BOM

IGBT 1200 V 188 A 1150 W Through Hole TO-264 (IXYK)

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXYK100N120C3
Scheda dati:

IXYK100N120C3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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IXYK100N120C3 Descrizione generale

IGBT 1200 V 188 A 1150 W Through Hole TO-264 (IXYK)

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	3.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	195 A
Pd - Power Dissipation	1.15 kW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	IXYK100N120
Continuous Collector Current Ic Max	188 A	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	25
Subcategory	IGBTs	Tradename	XPT
Unit Weight	0.373904 oz

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