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IXYH120N65C3 +BOM
IGBT PT 650 V 260 A 1360 W Through Hole TO-247 (IXYH)
TO-247-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IXYH120N65C3
-
Scheda dati:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
650 V
-
EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 9838 PZ
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IXYH120N65C3 Descrizione generale
IGBT PT 650 V 260 A 1360 W Through Hole TO-247 (IXYH)
Specifiche
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.3 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 260 A |
Pd - Power Dissipation | 1.36 kW | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Continuous Collector Current Ic Max | 620 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
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In Stock: 9.838
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $49,007 | $49,01 |
200+ | $18,966 | $3.793,20 |
500+ | $18,298 | $9.149,00 |
1000+ | $17,968 | $17.968,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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