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Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
TO-220ABProduttore:
ProduttorePart #:
IRL620
Scheda dati:
Pbfree Code:
No
Part Life Cycle Code:
Transferred
Reach Compliance Code:
compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelli:
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N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Pbfree Code | No | Part Life Cycle Code | Transferred |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 | Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 200 V | Drain Current-Max (ID) | 5.2 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.8 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e0 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation Ambient-Max | 50 W | Power Dissipation-Max (Abs) | 50 W |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | TIN LEAD | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Element Material | SILICON |
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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