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IRFR020 +BOM

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

IRFR020
Scheda dati:

IRFR020 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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IRFR020 Descrizione generale

N-Channel 60 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK

Caratteristiche principali

Dynamic dV/dt rating

Surface-mount (IRFR020, SiHFR020)

Available in tape and reel

Fast switching

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	FAST SWITCHING	Avalanche Energy Rating (Eas)	91 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	14 A
Drain-source On Resistance-Max	0.1 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	56 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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