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IRFPS37N50APBF +BOM

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 500V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SUPER-247, 3 PIN

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

IRFPS37N50APBF
Scheda dati:

IRFPS37N50APBF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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IRFPS37N50APBF Descrizione generale

N-Channel 500 V 36A (Tc) 446W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)

Caratteristiche principali

Fully Compliant RoHS Directive
Superior Gate, Avalanche and dV/dt Ruggedness

Robust Dynamic Performance
Simplified Drive Requirement
Excellent Thermal Stability

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	1260 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	500 V	Drain Current-Max (ID)	36 A
Drain-source On Resistance-Max	0.13 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSIP-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	144 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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