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IRFP32N50K +BOM

MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFP32N50KPBF

IRFP32N50K Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN

Caratteristiche principali

  • High surge withstand capability for safe operation
  • Dual-driver capability for improved fault tolerance
  • Precision thermal management for efficient heat dissipation

Applicazione

  • Switch mode power supply (SMPS)
  • Uninterruptible power supply
  • High speed power switching
  • Hard switching and high frequency circuits

Specifiche

Part Life Cycle Code Transferred Pin Count 3
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 450 mJ Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V Drain Current-Max (ID) 32 A
Drain-source On Resistance-Max 0.16 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 130 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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