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Vedi Specifiche Tecniche

IRFD110 +BOM

Transistor MOSFET N-Channel TO-250VAR

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

IRFD110
Scheda dati:

IRFD110 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRFD110 Descrizione generale

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Caratteristiche principali

Eurostyle packaging for easy integration
Dual-element construction for high reliability
Low noise and radiation emission
High temperature operation up to 175°C

Applicazione

Industrial

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	600 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	10 ns	Height	3.4 mm
Length	5.02 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	15 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Width	6.29 mm

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..