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IRFB17N50L +BOM

MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFB17N50LPBF

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

IRFB17N50L
Scheda dati:

IRFB17N50L Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

IRFB17N50L Descrizione generale

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

Caratteristiche principali

High-density and high-frequency applications supported
Low losses and minimal electromagnetic interference (EMI)
Suitable for battery management systems (BMS) and motor control units (MCUs)

Applicazione

Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
ZVS and High Frequency Circuit
PWM Inverters

Specifiche

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	390 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	500 V	Drain Current-Max (ID)	16 A
Drain-source On Resistance-Max	0.32 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	64 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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