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IRF9640PBF +BOM

-200V P-MOSFET transistor designed for unipolar operation with a maximum current rating of -6.8A and power dissipation of 125W, packaged in TO220AB

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

IRF9640PBF
Scheda dati:

IRF9640PBF Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRF9640PBF Descrizione generale

P-Channel 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Caratteristiche principali

Fine grain control
Precise voltage regulation
Low noise operation
Safe for DC applications

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V	Id - Continuous Drain Current	11 A
Rds On - Drain-Source Resistance	500 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	44 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	125 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IRF	Configuration	Single
Fall Time	38 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	43 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	39 ns	Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Part # Aliases	IRF9640PBF-BE3	Unit Weight	0.068784 oz

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