Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

IRF644 +BOM

This MOSFET is ROHS compliant and has TO-220AB packaging

Produttore:

Stmicroelectronics
ProduttorePart #:

IRF644
Scheda dati:

IRF644 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per IRF644

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

IRF644 Descrizione generale

N-Channel 250 V 14A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Caratteristiche principali

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

Fast switching

Ease of paralleling

Simple drive requirements

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	250 V
Id - Continuous Drain Current	14 A	Rds On - Drain-Source Resistance	280 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Pd - Power Dissipation	125 W
Series	IRF644	Configuration	Single
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	Power MOSFET Transistors	Unit Weight	0.068784 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..