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IPD80R1K0CE +BOM

Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IPD80R1K0CE
Scheda dati:

IPD80R1K0CE Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

230 mJ

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor offre il driver IPD80R1K0CE altamente versatile e affidabile, prodotto da INFINEON. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il IPD80R1K0CE.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Source Content uid	IPD80R1K0CE	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	230 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	800 V	Drain Current-Max (ID)	5.7 A
Drain-source On Resistance-Max	0.95 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	83 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	18 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	800 V
Id - Continuous Drain Current	5.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	800 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.1 V
Qg - Gate Charge	31 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	83 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS CE	Fall Time	8 ns
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	15 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	72 ns
Typical Turn-On Delay Time	25 ns	Width	6.22 mm
Part # Aliases	SP001100606 IPD80R1K0CEBTMA1	Unit Weight	0.011640 oz
IDpuls max	18.0 A	RthJC max	1.5 K/W
RthJA max	62.0 K/W	Ptot max	83.0 W
VDS max	800.0 V	Polarity	N
Mounting	SMT	ID max	5.7 A
RDS (on) max	950.0 mΩ	Special Features	price/performance
VGS(th) max	3.9 V	VGS(th) min	2.1 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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