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TO-252-3 MOSFETs ROHS IPD50N06S4-09
TO-252-3Produttore:
ProduttorePart #:
IPD50N06S4-09
Scheda dati:
IDpuls Max:
200.0 A
RthJC Max:
2.1 K/W
Ptot Max:
71.0 W
Qualification:
Automotive
EDA/CAD Modelli:
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Infineon Technologies' IPD50N06S4-09 is a power MOSFET designed for high-power applications in automotive, industrial, and power supply industries. With a drain-source voltage of 60 volts and a continuous drain current of 50 amperes, this MOSFET is capable of handling demanding power requirements. Its low on-resistance of 0.009 ohms helps to minimize power losses and improve efficiency in circuit designs. The TO-252 package, known for its surface-mount design and excellent thermal performance, makes the IPD50N06S4-09 easy to mount on circuit boards using standard soldering techniques
IDpuls max | 200.0 A | RthJC max | 2.1 K/W |
Ptot max | 71.0 W | Qualification | Automotive |
VDS max | 60.0 V | VGS(th) min | 2.0 V |
RDS (on) max | 9.0 mΩ | VGS(th) max | 4.0 V |
QG max | 36.0 nC | Polarity | N |
ID max | 50.0 A | Technology | OptiMOS™-T2 |
Operating Temperature max | 175.0 °C | Operating Temperature min | -55.0 °C |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $2,238 | $2,24 |
10+ | $2,064 | $20,64 |
30+ | $1,968 | $59,04 |
100+ | $1,861 | $186,10 |
500+ | $1,814 | $907,00 |
1000+ | $1,792 | $1.792,00 |
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